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ISO9001 zugelassene Plasmapoliermaschine 500 kW für Oberflächenverunreinigungen und Verunreinigungen
| Stromverbrauch: | 500 kW |
|---|---|
| Stromversorgung: | 220V/50Hz |
| Steuerungssystem: | Touch Screen plc-Steuerung |
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ISO9001 0,1 Pa - 1,0 Pa Plasmaschleifmaschine Anpassbares Plasmapoliersystem
| Stromverbrauch: | 500 kW |
|---|---|
| Modell: | PP001 |
| Plasmaquelle: | Rf-Generator |
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Wasserdampf-Large Plasma-Poliermaschine 220V-Metalloberflächenpoliermaschine
| Plasmagas: | Wasserdampf |
|---|---|
| Stromversorgung: | 220V/50Hz |
| Stromverbrauch: | 500 kW |
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220V / 50Hz Plasmapoliereinrichtung Hochpräzisions-Plasma-Ausarbeitungssystem
| GasStrömungsgeschwindigkeit: | 0-100 Sccm |
|---|---|
| Plasmabehandlungstemperatur: | Raumtemperatur |
| Zeit der Plasmabehandlung: | 3 bis 10 Minuten |
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PLC-Steuerung Plasma Poliermaschine 50Hz Quarz Plasma Ätzen und Polieren Maschine
| Plasmakammermaterial: | Quarz |
|---|---|
| Stromversorgung: | 220V/50Hz |
| Steuerungssystem: | Touch Screen plc-Steuerung |
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Quarz-Plasma-Poliergeräte 220V / 50Hz zur Behandlung bei Raumtemperatur
| Plasmabehandlungsdruck: | 0.1-1.0 Pa |
|---|---|
| Steuerungssystem: | Touch Screen plc-Steuerung |
| Plasmakammermaterial: | Quarz |
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Precision Plasma Polishing Machine Quarzkammer Industrie-Metallpolisanlage
| Zeit der Plasmabehandlung: | 3-5 Minuten |
|---|---|
| Stromversorgung: | 220V/50Hz |
| Plasmabehandlungstemperatur: | Raumtemperatur |
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Berührungsbildschirm-PLC-Steuerung Plasma-Hochpräzisionsschleifmaschine 500W Benutzerfreundlich
| Plasmabehandlungstemperatur: | Raumtemperatur |
|---|---|
| Steuerungssystem: | Touch Screen plc-Steuerung |
| Plasmabehandlungsdruck: | 0.1-1.0 Pa |
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Präzisionsmaschine zur Plasma-Etisch- und Poliermaschine
| Steuerungssystem: | Touch Screen plc-Steuerung |
|---|---|
| GasStrömungsgeschwindigkeit: | 0-100 Sccm |
| Größe der Plasmakammer: | 300 mm x 300 mm x 300 mm |
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Hochpräzisions-Plasma-Finixiersystem mit Quarzkammer-Oberflächenrefining-Maschine
| Stromverbrauch: | 500 W |
|---|---|
| Plasmabehandlungsdruck: | 0.1-1.0 Pa |
| Einheitlichkeit der Plasmabehandlung: | ± 5% |